Доклад сотрудников АО «НИИП» представлен на международной конференции ESREF 2019
С 23 по 27 сентября в г. Тулуза (Франция) проводилась международная научно-техническая конференция ESREF 2019.
Ежегодная европейская конференция ESREF (European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis) является одной из ведущих мировых конференций по надежности и анализу механизмов отказов электронных приборов в различных условиях воздействия. В этом году она отметила свой 30-летний юбилей. Конференция посвящена развитию всех аспектов надежности, включая управление качеством, а также современным методам анализа причин отказов электронных приборов в экстремальных условиях применения.
В секции по радиационной стойкости был представлен доклад «Degradation of bipolar transistors at high doses obtained at elevated temperature applied during gamma-irradiation» («Деградация биполярных транзисторов при высоких уровнях дозы при высокотемпературном гамма-облучении») коллектива авторов в составе A.С. Петрова, K.И. Таперо, A.M. Галимова, Г.И. Зебрева, представляющих АО «НИИП», АО «НИИМА «Прогресс», НИЯУ МИФИ. Данный доклад был единственным, представленным от Российской Федерации. Результаты этой работы опубликованы в научном журнале Microelectronics Reliability (Elsevier Ltd).
[:en]С 23 по 27 сентября в г. Тулуза (Франция) проводилась международная научно-техническая конференция ESREF 2019.
Ежегодная европейская конференция ESREF (European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis) является одной из ведущих мировых конференций по надежности и анализу механизмов отказов электронных приборов в различных условиях воздействия. В этом году она отметила свой 30-летний юбилей. Конференция посвящена развитию всех аспектов надежности, включая управление качеством, а также современным методам анализа причин отказов электронных приборов в экстремальных условиях применения.
В секции по радиационной стойкости был представлен доклад «Degradation of bipolar transistors at high doses obtained at elevated temperature applied during gamma-irradiation» («Деградация биполярных транзисторов при высоких уровнях дозы при высокотемпературном гамма-облучении») коллектива авторов в составе A.С. Петрова, K.И. Таперо, A.M. Галимова, Г.И. Зебрева, представляющих АО «НИИП», АО «НИИМА «Прогресс», НИЯУ МИФИ. Данный доклад был единственным, представленным от Российской Федерации. Результаты этой работы опубликованы в научном журнале Microelectronics Reliability (Elsevier Ltd).
