- Разработка, исследования и производство новых материалов
- Материалы для микроэлектроники и фотоники
Производим кристаллы диаметром от 21 до 75 мм и подложки диаметром до 51 мм из соединения кадмия, цинка и теллура (КЦТ) CdZnTe. Выращивание кристаллов с заданными свойствами происходит по методу Бриджмена-Стокбаргера. Такой подход позволяет получать кристаллы с более совершенной структурой.
Подложки изготавливаются по трем современным технологиям: жидкофазной, газофазной (из паров металлоорганических соединений MOCVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии.
Благодаря им специалисты тщательно контролируют нарастание одного кристаллического материала на другой. Изготавливаемые полупроводниковые материалы применяются в оптоэлектронике и фотонике.
- Высокое качество получаемых материалов (структурное совершенство гетероструктур за счет согласования периодов кристаллических решеток подложки и слоя, выращивания фоточувствительных эпитаксиальных слоев CdHgTe различного химического состава и с заданным уровнем легирования)
