Полупроводниковые материалы для оптоэлектронной аппаратуры инфракрасного спектра

  • Разработка, исследования и производство новых материалов
  • Материалы для микроэлектроники и фотоники

Разрабатываем эпитаксиальные гетероструктуры на основе твердых растворов CdHgTe и соединений CdZnTe диаметром до 50,8 мм и областью спектральной чувствительности 3-5 мкм и 8-12 мкм.