- Разработка, исследования и производство новых материалов
- Материалы для силовых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Специалисты могут разработать технологию промышленного производства структур арсенида галлия методом жидкофазной эпитаксии, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов на их основе, помочь сконструировать необходимое технологическое оборудование и организовать производство эпитаксиальных пластин диаметром 76 мм.
Эти пластины предназначены для создания нового класса силовых полупроводниковых устройств с увеличенным диапазоном рабочей температуры от -60 до 250°С, улучшенным быстродействием и рабочим напряжением до 1200 В.
- Создание полупроводниковых устройств на основе эпитаксиальных структур арсенида галлия с улучшенными характеристиками (повышение рабочего диапазона температуры и радиационной стойкости, увеличение рабочего напряжения и быстродействия)
